硅上的铌酸锂

其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、硅衬底。铌酸锂单晶薄膜可集成到硅基底上,此结构可应用于集成光学,非线性光学,铁电存储器,红外探测器,传感器,微机电系统和声表面波器件。

技术参数

产品应用

晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸, 上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米, 中层为约2微米厚的二氧化硅, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料, 该产品主要应用于以下领域:

  • 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽, 功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。
  • 信息存储领域, 可实现高密度信息存储。
  • 电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。
  • 红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。



硅上的铌酸锂
尺寸:
3inch
厚度:
300-700 nm
切向:
X cut,Y cut,Z cut

具体应用如下:

  • 滤波器
  • 电光调制器
  • 探测器
  • 光波导
  • 传感器
  • 压电换能器
  • 太赫兹波生成
  • 超高速光开关
  • 高密度数据存储
  • 相控阵雷达
  • 电光棱镜扫描仪
  • 光纤陀螺仪
  • 高功率微波器件
  • 旁路电容