铌酸锂单晶薄膜

其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上,此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。

含电极铌酸锂单晶薄膜(一)

二氧化硅层与铌酸锂单晶薄膜间有一层电极(金、铂金、其他金属或 透明电极)。在铌酸锂单晶薄膜表面加一层顶电极后,可在顶电极与此 电极间的铌酸锂单晶薄膜施加电场。基于压电效应、铁电畴开关效应或热电效应,此结构可用于开发表面波器件、存储器、传感器,比如 高频率、宽带宽的 RF 滤波器;高速、低耗的铁电存储器,及高灵敏度红外探测器。

含电极铌酸锂单晶薄膜(二)

二氧化硅层与铌酸锂基底间有一层电极(金、铂金、其他金属或透明电极)。在铌酸锂单晶薄膜表面加一层顶电极后,可在顶电极与此金属电极间的铌酸锂单晶薄膜施加电场。二氧化硅层为光学绝缘层。此结构可用于开发高速度调制器,高效率 E-O 可调谐非线性光学器件及铁电存储器件。

掺镁铌酸锂单晶薄膜

掺镁铌酸锂单晶薄膜剥离自掺镁铌酸锂单晶片,具有优良的抗光损及抗光折变性能,在非线性光学器件上与其它材料相比具有明显优势。可用于开发电光调制器,倍频器,混频器,光参量震荡期,光参量放大器及集成光波导等。

超平晶片 超薄晶片

晶正科技可通过晶片减薄工艺和CMP抛光工艺,对铌酸锂、钽酸锂、硅、石英等晶圆片进行表面精细处理,将其加工成为超平晶片和超薄晶片,可满足用户对于超平硅片、超平石英片、超薄铌酸锂、超薄钽酸锂等特殊晶片的需求。

钽酸锂单晶薄膜

钽酸锂单晶薄膜的结构类似于铌酸锂单晶薄膜,自上而下各层依次为钽酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、钽酸锂衬底。其制作过程与铌酸锂单晶薄膜相似。其应用包括:电光调制器、热电探测器、光波导、声表面波器件及压电传感器。钽酸锂晶体热电系数大,适于做高灵敏度热电探测器,可应用于:夜视仪,移动侦测,红外线分析仪及火焰检测等。具体应用包括:空气质量检测,地球位置传感器,红外探测器,红外光谱仪,行星探测器,污染监测,遥感技术,太阳能电池研究,森林火灾探测,太赫兹探测,生物医学成像。

硅上的铌酸锂

其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、硅衬底。铌酸锂单晶薄膜可集成到硅基底上,此结构可应用于集成光学,非线性光学,铁电存储器,红外探测器,传感器,微机电系统和声表面波器件。